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ICSE '96. 1996 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics. Proceedings - 最新文献
Deposition of carbon-rich a-SiC:H films by the electron cyclotron resonance plasma CVD method
Pub Date : 1996-11-26 DOI: 10.1109/SMELEC.1996.616491 S. Yoon, J. Ahn, W. MilneEffects of low-energy back surface gettering on the properties of 1/f noise in n-channel nitrided MOSFETs
Pub Date : 1996-11-26 DOI: 10.1109/SMELEC.1996.616452 C. Surya, W. Wang, W. Fong, C.H. Chan, P. LaiA photoconductivity and Raman scattering analysis of boron-doped a-SiC:H films deposited using the electron cyclotron resonance plasma CVD method
Pub Date : 1996-11-26 DOI: 10.1109/SMELEC.1996.616482 S. Yoon, R. Ji, J. Ahn, W. Milne
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