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2011 International Meeting for Future of Electron Devices - 最新文献
Effects of a strained layer on transport characteristics of tunnel transistors
Pub Date : 2011-05-19 DOI: 10.1109/IMFEDK.2011.5944846 Masahiro Yamamoto, T. Kitayama, H. Minari, N. MoriTailoring the electronic properties of vertically stacked quantum-dots by local potential modulation
Pub Date : 2011-05-19 DOI: 10.1109/IMFEDK.2011.5944862 Hiroki Takahashi, H. Minari, N. MoriLow temperature processed ZnO thin film transistors fabricated by plasma assisted atomic layer deposition
Pub Date : 2011-05-19 DOI: 10.1109/IMFEDK.2011.5944856 Y. Kawamura, M. Tani, M. Horita, Y. Ishikawa, Y. Uraoka
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