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2011 IEEE 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs - 最新文献
3.7 mΩ-cm2, 1500 V 4H-SiC DMOSFETs for advanced high power, high frequency applications
Pub Date : 2011-05-23 DOI: 10.1109/ISPSD.2011.5890832 S. Ryu, Lin Cheng, S. Dhar, C. Capell, C. Jonas, R. Callanan, A. Agarwal, J. Palmour, A. Lelis, C. Scozzie, B. GeilConsiderations on the optimal power stage segmentation algorithm for MHz integrated synchronous Buck DC-DC converters
Pub Date : 2011-05-23 DOI: 10.1109/ISPSD.2011.5890821 Xiaopeng Wang, A. HuangHigh temperature wafer bonding technique for the realization of a voltage and current bidirectional IGBT
Pub Date : 2011-05-23 DOI: 10.1109/ISPSD.2011.5890810 A. Bourennane, H. Tahir, J. Sanchez, L. Pont, G. Sarrabayrouse, E. Imbernon
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