Recombination-Enhanced Dislocation Glide in 4H-SiC and GaN under Electron Beam Irradiation

待确认 10 由 xue2025 发布于 2026/4/6 17:33:40

DOI:DOI: 10.1134/S1063774525600401
文献类型：期刊论文
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文献链接：https://doi.org/10.1134/S1063774525600401

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43分钟前

小丹

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16小时前

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