Two-dimensional halide perovskite lateral epitaxial heterostructures

待确认 10 由兰佳壮发布于 2026/7/25 18:29:00

DOI:10.1038/s41586-020-2219-7
文献类型：期刊论文
补充材料：只需要正文
文献链接：https://doi.org/10.1038/s41586-020-2219-7

Nature

Abstract：Epitaxial heterostructures based on oxide perovskites and III–V, II–VI and transition metal dichalcogenide semiconductors form the foundation of modern electronics and optoelectronics1–7. Ha

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yiqiang

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