Highly selective isotropic chemical dry etching for gate-all-around devices: nanosheet, forksheet and complementary FETs

已取消 20 由 Raven 发布于 2025/11/28 18:18:38

DOI:10.1117/12.2613723
作者：Y. Muraki, Y. Oniki, P. P. Gowda, E. Altamirano-Sanchez, H. Mertens, N. Horiguchi, F. Holsteyns, S. Kal, C. Alix, K. Kumar, A. Mosden, T. Hurd, N. Takahashi
文献类型：期刊论文
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International Society for Optics and Photonics (SPIE)

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