Low-Noise Multi-Gate Pixel Transistor for Sub-Micron Pixel CMOS Image Sensors

已完结 10 由 yml 发布于 2025/7/8 11:11:40

DOI:10.1109/vlsitechnologyandcir46769.2022.9830386
作者：Shota Kitamura, N. Kimizuka, A. Honjo, Koichi Baba, Toshihiro Kurobe, Hideomi Kumano, T. Toyofuku, Kouhei Takeuchi, S. Nishimura, A. Kato, T. Hirano, Y. Oike
文献类型：期刊论文
补充材料：只需要正文

其它数据库

Abstract：As the pixel size of CMOS image sensors (CIS) is rapidly decreasing to sub-micron pixels due to strong demand from mobile applications, a low-noise multi-gate pixel transistor for sub-micron

应助信息

求助已完结，文件已删除 如有需求请重新发布求助一键发布

感谢使用Book学术
本站所有文献仅供个人学习和参考，请勿将文件进行传播。共同遵守网站规定和相关知识产权规定。

上一个求助:其它数据库Naturally Fractured Carbonate Reservoir Characterization: A Case Study of a Mature High-Pour Point Oil Field in Hungary 下一个求助:知网金属有机框架衍生硫族化合物的制备及储钠/钾性能研究