Cryogenic DRIE Processes for High-Precision Silicon Etching in MEMS Applications

已完结 10 由居鸭发布于 2024/12/18 15:18:05

DOI:10.1088/1361-6439/ad5563
作者：Benjamin Horstmann, David Pate, Bennett Smith, M. Mamun, Gary Atkinson, Umit Ozgur, V. Avrutin
文献类型：期刊论文
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Abstract： Cryogenic deep reactive ion etching (Cryo DRIE) of silicon has become an enticing but challenging process utilized in front-end fabrication for the semiconductor industry. This method, com

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冰敦敦儿

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