CVD-SiC for RTP chamber components

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DOI:10.1109/RTP.2001.1013769
作者：J. Goela, N. Brese, L. Burns, M. Pickering
文献类型：期刊论文
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Abstract：The CVD manufacturing process, important properties and applications of CVD SILICON CARBIDE/sup /spl reg// in advanced thermal processing of semiconductors are presented. CVD-SiC is produced

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iwu

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