强太赫兹脉冲产生及硒化镓晶体非线性效应研究

IF 1.8 4区 物理与天体物理 Q3 OPTICS
索鹏 Suo Peng, 王晨 Wang Chen, 李高芳 Li Gaofang, 孙凯文 Sun Kaiwen, 张文杰 Zhang Wenjie, 林贤 Lin Xian, 黄志明 Huang Zhiming, 马国宏 Ma Guohong
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摘要

为探索单周期或亚周期的强场太赫兹脉冲抽运下各种材料的非线性光学响应,基于铌酸锂(LiNbO3)晶体,采用飞秒脉冲倾斜波前技术,获得了单脉冲能量为2.6 μJ、峰值场强为632 kV/cm的强太赫兹脉冲输出,并在该辐射源的基础上搭建了太赫兹抽运-光探测系统。利用该系统研究了硒化镓(GaSe)晶体的非线性光学响应,观测到亚周期的太赫兹脉冲诱导的光学双折射,其引起的相位变化与普克尔斯效应和克尔效应相关。研究结果为强场太赫兹抽运下介质的非线性效应分析提供了思路,为材料的电光系数和非线性折射率系数的测定提供了借鉴。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
强太赫兹脉冲产生及硒化镓晶体非线性效应研究
为探索单周期或亚周期的强场太赫兹脉冲抽运下各种材料的非线性光学响应,基于铌酸锂(LiNbO3)晶体,采用飞秒脉冲倾斜波前技术,获得了单脉冲能量为2.6 μJ、峰值场强为632 kV/cm的强太赫兹脉冲输出,并在该辐射源的基础上搭建了太赫兹抽运-光探测系统。利用该系统研究了硒化镓(GaSe)晶体的非线性光学响应,观测到亚周期的太赫兹脉冲诱导的光学双折射,其引起的相位变化与普克尔斯效应和克尔效应相关。研究结果为强场太赫兹抽运下介质的非线性效应分析提供了思路,为材料的电光系数和非线性折射率系数的测定提供了借鉴。
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