Нелокальная киральная терагерцовая фотопроводимость в гетероструктурах на основе топологической фазы Hg1-xCdxTe

Представлены результаты по нелокальной терагерцовой фотопроводимости в толстых эпитаксиальных пленках Hg1-xCdxTe с инвертированным энергетическим спектром (x <~ 0.16). В работе прямо продемонстрировано существование нелокальной компоненты терагерцового фотоответа в толстых эпитаксиальных пленках Hg1-xCdхTe в магнитном поле. Знак нелокального фотоответа зависит от положения потенциального зонда и направления магнитного поля, что указывает на киральность индуцированного неравновесного транспорта. Наблюдаемые нетривиальные особенности фототранспорта можно интерпретировать как проявление образования концевого хирального краевого проводящего канала в топологической фазе сплавов Hg1-xCdхTe. Мы обсуждаем результаты в терминах качественной модели, которая учитывает сосуществование объемного транспортного и граничного проводящих каналов.