双极元件(晶闸管,可控硅,GTO, GCT和BJT):控制电路

S. Lefebvre, B. Multon, N. Rouger
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摘要

本文介绍了主要双极功率半导体元件电流控制的控制原理。本文重点介绍了用于控制这些元件(双极晶体管)的触发电流(晶闸管、可控硅和GTO)的形状和放大。我们自愿选择处理元件控制电路,如BJT或GTO晶闸管,其中一些应用是有限的,甚至是过时的,特别是为了更好地呈现元件控制电路,如SiC BJT或IGCT。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
Composants bipolaires (thyristors, triacs, GTO, GCT et BJT) : circuits de commande
Cet article presente les principes de commande des principaux composants a semi-conducteur de puissance bipolaires a commande en courant. L’article se focalise sur la mise en forme et l’amplification des courants de gâchette (thyristors, triacs et GTO) pour la commande de ces composants (transistors bipolaires). Nous avons volontairement choisi de traiter des circuits de commande de composants tels que le BJT ou le thyristor GTO dont certaines applications sont restreintes voire obsoletes, notamment afin de mieux presenter les circuits de commande de composants tels que les BJT SiC ou les IGCT.
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