Исследование однофотонной излучающей системы на основе NV-центров в наноалмазах, интегрированных с ННК GaP

В данной работе разработан технологический процесс интеграции источников однофотонного излучения в резонансную систему ННК из фосфида галлия. Проанализированы оптические свойства изготовленной структуры и получены спектры ФЛ и КРС. Зависимость скорости спонтанного излучения исследовалась для системы НА, совмещенных с одиночными ННК GaP, а также для НА, осажденных на стеклянную подложку, в качестве референсного образца. Данные показали увеличение скорости спонтанного излучения при интегрировании наноалмазов с GaP ННК.