DNA/聚(3-甲基噻吩)复合膜修饰电极的制备及其应用于研究8-羟基-2’-脱氧鸟嘌呤核苷的伏安行为及测定

Abstract

首先通过电聚合方法在玻碳电极表面制备了聚(3-甲基噻吩)(P3MT)修饰膜, 然后在一定电位下将DNA分子电沉积到P3MT表面, 制备了DNA/(P3MT) 复合膜修饰玻碳电极. 研究了8-羟基-2’-脱氧鸟嘌呤核苷(8-OH-dG)在该复合膜修饰电极上的伏安行为以及扫描速度、pH值和尿酸对其伏安行为和检测的影响. 实验结果表明, 该复合膜修饰电极结合了P3MT和DNA两者的优点, 使8-OH-dG在复合膜修饰电极上的电化学行为明显改善, 而且具有很好的重现性和稳定性. 在0.1 mol/L pH 7.0的磷酸盐缓冲溶液(PBS)中, 8-OH-dG的氧化峰电流与其浓度在0.28 ~ 4.2 µmol/L和4.2 ~ 19.6 µmol/L两个范围内成良好的线性关系, 检出限为56 nmol/L (S/N=3). 该研究可以为制备HPLC或毛细管电泳电化学检测器检测8-OH-dG打下一定的基础, 因此在检测尿样中8-OH-dG的研究方面具有潜在的应用价值.