Photo-EMK bei Störstellen- und Grundgitteranregung im SiC

Abstract

[Russian Text Ignored]. Es werden die Bedingungen fur das Auftreten eines Photoeffektes bei Storstellenanregung diskutiert. Der Storstellen- und Grundgitter-Photovoltaische Effekt an n- und p-SiC mit legierten p-n Ubergangen wurde untersucht durch Messung der Photo-EMK in Abhangigkeit von Photonenenergie, Temperatur und Lichtintensitat. Die spektrale Verteilung der Storstellen-Photo-EMK ist in guter Ubereinstimmung mit der von TOMASHPOLSKI und KHOLUYANOV gemessenen spektralen Verteilung der Elektrolumineszenz. Fur n-SiC wurde die Diffusionslange der Minoritatsladungstrager abgeschatzt.