Milliwatt-level power generated in the sub-terahertz range by photomixing in a metal-metal resonant cavity GaAs photoconductor

2012 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) Pub Date : 2012-05-06 DOI:10.1364/CLEO_SI.2012.CTU1B.2

E. Peytavit, S. Lépilliet, F. Hindle, C. Coinon, T. Akalin, G. Ducournau, G. Mouret, J. Lampin

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Abstract

It is shown from on-wafer measurement that a continuous wave output power of 0.35 mW at 305 GHz can be generated by photomixing in a metal-metal Fabry-Pérot GaAs photoconductor.

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在金属-金属谐振腔GaAs光导体中通过光混合在亚太赫兹范围内产生毫瓦级功率

片上测量结果表明，在金属-金属法布里- p砷化镓光导体中进行光混合可以在305 GHz频率下产生0.35 mW的连续波输出功率。

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