Zur Messung der Diffusionslänge der Minoritätsträger in Halbleitern

Abstract

Mittels Lichtsondenabtastung wird die Ortsabhangigkeit des p—n-Photoeffektes bzw. des Randschichtphotoeffektes an schrag geschliffenen Proben gemessen und daraus die Diffusionslange bestimmt. Es konnen Diffusionslangen ≧ 10 μm gemessen werden, die bei gegebener Temperatur unabhangig von der Grose der Oberflachenrekombinationsgeschwindigkeit, des Reflexionsvermogens und der Quantenausbeute sind. Die Methode wurde durch Messung an Silizium gepruft. [Russian Text Ignored].