Propiedades Piezoeléctricas del Pentóxido de Niobio y Pentóxido de Tantalio: un estudio desde primeros principios

TecnoLogicas Pub Date : 2017-09-04 DOI:10.22430/22565337.704
Olga M. Giraldo-Giraldo, Santiago Perez-Walton, Jorge M. Osorio-Guillén
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Abstract

espanolNb2O5 y Ta2O5 son oxidos semiconductores de brecha ancha, los cuales en los ultimos anos han despertado gran interes debido a sus multiples aplicaciones tecnologicas, ya sea en electronica, telecomunicaciones o fotocatalisis. Por estas razones, en este trabajo presentamos un estudio a partir de calculos de primeros principios de las propiedades piezoelectricas de las fases Z y β de Ta2O5, y de las fases Z y P de Nb2O5 utilizado la teoria de los funcionales de la densidad y la aproximacion del gradiente, generalizado con la parametrizacion PBEsol. Una vez determinada la geometria de equilibrio para cada una de estas fases, realizamos un calculo utilizando respuesta lineal para determinar el tensor piezoelectrico asociado a cada una de estas fases, encontrando que la fase Z para ambos compuestos presenta una buena respuesta piezoelectrica. Adicionalmente, encontramos que la fase β-Ta2O5 no presenta respuesta piezoelectrica. EnglishNb2O5 and Ta2O5 are wide-bandgap semiconductor oxides that have attracted great interest in recent years due to their technological applications, such as in electronics, telecommunications or photocatalysis. Because of this, we present a study based on first-principles calculations of the piezoelectric properties of the Z and β phases of Ta2O5 as well as the Z and P phases of Nb2O5 by using the Density Functional Theory and the Generalized Gradient Approximation with PBEsol parameterization. Once the equilibrium geometry was determined for each of these phases, we made a calculation using the linear response theory to determine the piezoelectric tensor associated with each phase. We discovered that the Z phase of both compounds presents good piezoelectric response. Additionally, β-Ta2O5 does not show such response.
五氧化二铌和五氧化二钽的压电性能:从早期开始的研究
西班牙Nb2O5和Ta2O5是宽禁带氧化物半导体,近年来由于其在电子、电信或光催化等领域的多种技术应用而引起了人们的极大兴趣。出于这些原因,在本文中,我们利用密度泛函理论和梯度近似,根据第一性原理计算了Ta2O5的Z和β相以及Nb2O5的Z和P相的压电性质,并将其与Pbesol参数化进行了推广。一旦确定了每个阶段的平衡几何结构,我们就使用线性响应进行计算,以确定与每个阶段相关的压电张量,发现两种化合物的Z相都具有良好的压电响应。此外,我们发现β-Ta2O5相没有压电响应。EnglishNb2O5和Ta2O5是宽带隙半导体氧化物,由于其在电子、电信或光催化等技术应用,近年来引起了人们的极大兴趣。因此,我们利用密度泛函理论和PBESOL参数化的广义梯度近似,在第一性原理计算Ta2O5的Z和β相以及Nb2O5的Z和P相压电性质的基础上进行了研究。一旦确定了这些阶段的平衡几何,我们就使用线性响应理论进行了计算,以确定与每个阶段相关的压电张量。我们发现两种化合物的Z相都有很好的压电响应。此外,β-Ta2O5没有表现出这种反应。
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