High pressure transition in cadmium selenide

J. Ōsugi, K. Shimizu, Tokio Nakamura, A. Onodera
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引用次数: 14

Abstract

テルル化カドミウムの単結晶の高圧下におけるセンアエン鉱型構1造一岩塩型構造の相境界線を圧力約35kb,温度約800℃までの範囲で求めた。実験は六面体型アンピル装置における電気抵抗測定法によって行なった。室温における相転移圧力は33.3±1.8kbで,これにともなって電気抵抗のいちじるしい減少がみられる。相転移のさいの電気抵抗の変化量は温度とともに減少する。相転移の圧力は温度によって減少し,相境界線は-C1.015kb/degの傾きをもつ,800℃まで求めた相境界線は直線的で, Jayaramanらが決定した三重点にまで延長できる。Glapeyr4nの式から求めた室温における転移の潜熱は6.6×102cal/mol,エントロピー変化は2.3e. u.である。一定圧力下における電気抵抗の温度依存性の測定から求めたセンアエン鉱型構造のテルル化カドミウムのエネルギーギャップは約1.3eVで,これは圧力とともに増加する。
硒化镉的高压转变
在压力约35kb、温度约800℃的范围内,求出了碲化镉单结晶高压下千锌矿型结构1造一岩盐型结构的相界线。实验是通过六面体型安弼装置的电阻测定法进行的。室温下的相变压力为33.3±1.8kb,与此同时,电阻显著减小。相变时电阻的变化量随温度而减少。相变压力随温度而减小,相边界线具有- c1.015 kb/deg的斜率,求到800℃的相边界线是直线的,可以延长到Jayaraman等人决定的三重点。根据Glapeyr4n公式,室温下转移的潜热为6.6×102卡/mol,熵变化为2.3 e.u.。通过测定恒定压力下电阻对温度的依赖性,得到的千锌矿型结构碲化镉的能隙约为1.3eV,该能隙随压力而增加。
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