High-performance vertical-cavity surface-emitting lasers with emission wavelengths from 650 nm to 670 nm

IEEE 18th International Semiconductor Laser Conference Pub Date : 2002-12-10 DOI:10.1109/ISLC.2002.1041092

A. Knigge, M. Zorn, H. Unold, F. Mederer, M. Weyers, G. Trankle

引用次数: 4

Abstract

Record output power and temperature stability of MOVPE grown GaInP MQW oxide-confined VCSELs with 650 nm to 670 nm wavelength are presented including good high frequency behaviour.

查看原文本刊更多论文

发射波长650 ~ 670 nm的高性能垂直腔面发射激光器

在650 nm ~ 670 nm波长的MOVPE生长的GaInP MQW氧化物约束VCSELs的输出功率和温度稳定性都达到了创纪录的水平，其中包括良好的高频性能。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

IEEE 18th International Semiconductor Laser Conference

自引率

0.00%

发文量