A Novel FN Erasable Undercut Device Containing Two Physically Separated Nitride Storage Nodes Per Cell Suitable for Advanced NOR Flash Memory Technology

2011 3rd IEEE International Memory Workshop (IMW) Pub Date : 2011-05-22 DOI:10.1109/IMW.2011.5873212

Seon-Young Chung, S. Chan, K.-T. Chang, B. Davis, G. Kathawala, K. Ko, S.-C. Lee, Z. Liu, C. Lin, K. Ohtsuka, S. Park, T. Thurgate, L. Xue, M. Randolph, H. Shiraiwa, Y. Sun, C. Chang

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一种新型的FN可擦除下切器件，每个单元包含两个物理分离的氮化物存储节点，适用于先进的NOR闪存技术

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