A 1/4in 2M pixel CMOS image sensor with 1.75 transistor/pixel

2004 IEEE International Solid-State Circuits Conference (IEEE Cat. No.04CH37519) Pub Date : 2004-09-13 DOI:10.1109/ISSCC.2004.1332618

M. Mori, M. Katsuno, S. Kasuga, T. Murata, T. Yamaguchi

引用次数: 48

Abstract

A 2.5V CMOS image sensor using a pixel configuration of four photodiodes in one unit sharing seven transistors is presented. This image achieves a 2.25/spl mu/m pixel pitch with 25% aperture ratio in a 0.25/spl mu/m IP2M CMOS process.

查看原文本刊更多论文

1/4英寸2M像素CMOS图像传感器，1.75晶体管/像素

提出了一种采用4个光电二极管组成的像素结构的2.5V CMOS图像传感器。该图像在0.25/spl mu/m的IP2M CMOS工艺中实现了2.25/spl mu/m的像素间距和25%的孔径比。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

2004 IEEE International Solid-State Circuits Conference (IEEE Cat. No.04CH37519)

自引率

0.00%

发文量