High-performance vertical-illumination type 100% Ge-on-Si photodetectors operating up to 50 Gb/s

2012 38th European Conference and Exhibition on Optical Communications Pub Date : 2012-09-16 DOI:10.1364/ECEOC.2012.MO.2.E.1

I. Kim, Ki-seok Jang, Sanghoon Kim, Jiho Joo, Gyungock Kim

引用次数: 0

Abstract

We present high-performance vertical-illumination type Ge-on-Si photodetectors (PDs) which are ready for optical network applications. The fabricated vertical-illumination type Ge PDs show good responsivity up to 50Gb/s data transmission.

查看原文本刊更多论文

高性能垂直照明型100% Ge-on-Si光电探测器，运行速度高达50 Gb/s

我们提出了高性能垂直照明型锗硅光电探测器(pd)，准备用于光网络应用。所制备的垂直照明型锗发光二极管在高达50Gb/s的数据传输速度下具有良好的响应性。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

2012 38th European Conference and Exhibition on Optical Communications

自引率

0.00%

发文量