Ultra-wideband medium-power GaAs MESFET amplifiers

1980 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers Pub Date : 1900-01-01 DOI:10.1109/ISSCC.1980.1156027

Hua Tserng, H. Macksey

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Abstract

The design and performance of 5-18GHz single and multi-stage GaAs MESFET amplifiers with 1O0-300mW output will be discussed.

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超宽带中功率GaAs MESFET放大器

讨论了输出功率为100 - 300mw的5-18GHz单级和多级GaAs MESFET放大器的设计和性能。

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