A 64K bipolar PROM

1982 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers Pub Date : 1900-01-01 DOI:10.1109/ISSCC.1982.1156406

R. Fisher

引用次数: 3

Abstract

A 65,536b bipolar PROM, using a lateral NiCr fuse link on a junction isolated process and 3μ lithography, will be discussed. Consumption is 190mA and typical access time is 45ns.

查看原文本刊更多论文

一个64K双极PROM

将讨论一种65,536b双极PROM，在结隔离工艺和3μ光刻上使用横向NiCr熔断器连接。功耗为190mA，典型接入时间为45ns。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

1982 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers

自引率

0.00%

发文量