12-GHz Gilbert mixers using a manufacturable Si/SiGe epitaxial-base bipolar technology

Proceedings of Bipolar/Bicmos Circuits and Technology Meeting Pub Date : 1995-10-02 DOI:10.1109/BIPOL.1995.493894

Jeffrey S. Glenn, Mary E. Case, David L. Harame, B. Meyerson, R. Poisson

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Abstract

We present Gilbert mixer circuits, fabricated with an epitaxial-base Si/SiGe bipolar technology, having bandwidths of up to 12 GHz and gain-bandwidth products in excess of 22 GHz.

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采用可制造的Si/SiGe外延基双极技术的12ghz Gilbert混频器

我们提出了Gilbert混频器电路，采用外延基Si/SiGe双极技术制造，带宽高达12 GHz，增益带宽产品超过22 GHz。

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Proceedings of Bipolar/Bicmos Circuits and Technology Meeting

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