Strained Germanium Lasing in the Mid-Infrared

2019 IEEE 16th International Conference on Group IV Photonics (GFP) Pub Date : 2019-08-01 DOI:10.1109/GROUP4.2019.8925921

F. A. Pilon, A. Chelnokov, J. Faist, H. Sigg, A. Lyasota, Y. Niquet, V. Reboud, V. Calvo, N. Pauc, J. Widiez, C. Bonzon, J. Hartmann

引用次数: 0

Abstract

Mid-Infrared lasing between 3.20 and 3.66 μm is achieved in undoped germanium microbridges strained up to 5.9 % and up to a temperature of 100 K under optical pulsed excitation of 100 ps, exploiting a non-equilibrium carrier dynamic.

查看原文本刊更多论文

中红外应变锗激光

利用非平衡载流子动力学，在应变高达5.9%、温度高达100 K的未掺杂锗微桥中实现了3.20 ~ 3.66 μm的中红外激光，激发光脉冲为100 ps。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

2019 IEEE 16th International Conference on Group IV Photonics (GFP)

自引率

0.00%

发文量