A Low Noise FET Amplifier in Coplanar Waveguide

1977 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest Pub Date : 1977-06-21 DOI:10.1109/MWSYM.1977.1124400

J. Vokes, W. P. Barr, J. R. Dawsey, B. T. Hughes, Susan Shrubb

引用次数: 2

Abstract

This paper describes on the advantages of figures of 2.2 dB at the factors affecting the performance of low noise FET amplifiers, with particular emphasis coplanar waveguide as the microwave circuit. RF results include overall amplifier noise 7.5 GHz from devices made from two quite different GaAs structures.

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1977 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest

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