Integration techniques for high frequency bipolar circuits

1996 International Semiconductor Conference. 19th Edition. CAS'96 Proceedings Pub Date : 1996-10-09 DOI:10.1109/SMICND.1996.557378

M. Badila, S. Negru, F. Mitu, G. Brezeanu, G. Dilimot, I. Enache

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Abstract

An integration technique for high frequency bipolar circuits is presented. A Gilbert cell and an amplifier with a bandwidth of 700 MHz and minimum 2 V supply voltage has been integrated. The circuits content npn transistors with 16 GHz cutoff frequency and BV/sub CBO/>15 V.

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1996 International Semiconductor Conference. 19th Edition. CAS'96 Proceedings

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