Barrier-intrinsic-N+ (BIN) diodes for near-millimeter wave generation

1987 Twelth International Conference on Infrared and Millimeter Waves Pub Date : 1987-12-01 DOI:10.1109/IRMM.1987.9126882

U. Lieneweg, B. Hancock, J. Maserjian

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Abstract

A novel class of structures which exhibit a highly nonlinear capacitance-voltage characteristic is introduced for application in the near-millimeter wave region.

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近毫米波产生的势垒本征氮离子(BIN)二极管

介绍了一类具有高度非线性电容电压特性的新型结构，并将其应用于近毫米波区域。

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1987 Twelth International Conference on Infrared and Millimeter Waves

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