“ S-shaped ” photoluminescence emission shift in Cu(In,Ga)Se2 thin films

2012 Asia Communications and Photonics Conference (ACP) Pub Date : 2013-05-02 DOI:10.1364/ACPC.2012.AF4B.32

Y. Liao, S. Kuo, F. Lai, W. T. Lin, D. Hsieh, D. Chiu, H. Kuo

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Abstract

We have utilized photoluminescence (PL) measurement to investigate carrier recombination mechanism in Cu(In,Ga)Se2 thin films and observed an S-shaped emission shift revealed from the corresponding PL peak of near band edge transition.

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