Silicon LEDs with antifuse injection

2008 5th IEEE International Conference on Group IV Photonics Pub Date : 2008-10-07 DOI:10.1109/GROUP4.2008.4638093

G. Piccolo, T. Hoang, J. Holleman, A. Kovalgin, J. Schmitz

引用次数: 6

Abstract

A novel carrier-confinement structure is proposed and realized to generate light in a silicon diode. A significant enhancement of the external power efficiency is observed compared to reference silicon diodes on SOI.

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带有防熔丝注入的硅led

提出并实现了一种在硅二极管中产生光的新型载流子约束结构。与SOI上的参考硅二极管相比，观察到外部功率效率的显著提高。

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2008 5th IEEE International Conference on Group IV Photonics

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