Single-Event and Radiation Effect on Enhancement Mode Gallium Nitride FETs

2014 IEEE Radiation Effects Data Workshop (REDW) Pub Date : 2014-07-14 DOI:10.1109/REDW.2014.7004594

A. Lidow, A. Nakata, M. Rearwin, J. Strydom, A. M. Zafrani

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Abstract

This paper presents responses of the latest MiGaN FETs to space radiation conditions. The new MiGaN has shown radiation tolerance to 1Mrad TID and SEGR and SEB immunity at LET of 85Mev/(mg/cm2) as well as immunity to displacement damage and Low dose (ELDRs) testing.

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增强模式氮化镓场效应管的单事件效应和辐射效应

本文介绍了最新的MiGaN场效应管对空间辐射条件的响应。新型MiGaN具有1Mrad TID和SEGR的辐射耐受性，在85Mev/(mg/cm2)的LET下具有SEB免疫能力，以及对位移损伤和低剂量(ELDRs)测试的免疫能力。

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2014 IEEE Radiation Effects Data Workshop (REDW)

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