Power electronics innovation by Silicon Carbide power semiconductor devices

2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) Pub Date : 2014-06-19 DOI:10.1109/IMFEDK.2014.6867086

H. Okumura

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Abstract

The importance of power electronics innovation in the future human society and related technology roadmap is presented. Based on the roadmap, recent progress in widegap semiconductor power electronics is reviewed, especially focused on Silicon Carbide (SiC) technology [1-3].

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碳化硅功率半导体器件的电力电子创新

提出了电力电子技术创新在未来人类社会中的重要性和相关技术发展路线图。在此基础上，综述了宽间隙半导体电力电子技术的最新进展，重点介绍了碳化硅(SiC)技术[1-3]。

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2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)

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