Bi4Ti3O12 ferroelectric thin films : Morphology and electrical characteristics

Abstract

Des couches minces de Bi 4 Ti 3 O 12 ont ete preparees par centrifugation a partir d'un alcoxyde mixte de bismuth et de titane sur des substrats Pt/TiO 2 /SiO 2 /Si. Des 480 °C, la phase Bi 4 Ti 3 O 12 est cristallisee. Une croissance des grains associee a une augmentation de la rugosite des films a ete observee avec le nombre croissant de couches. Les mesures de cycles d'hysteresis ont confirme le caractere ferroelectrique des films.