Carrier Dynamics in InGaN/GaN Micro-LEDs: An RF Appraoch to Understand Efficiency Issues

2019 IEEE Photonics Conference (IPC) Pub Date : 2019-09-01 DOI:10.1109/IPCon.2019.8908440

A. Rashidi, M. Monavarian, A. Aragon, A. Rishinaramangalam, D. Feezell

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Abstract

We utilize a rate equation approach and RF measurement technique to study carrier dynamics in InGaN/GaN LEDs. Study of carrier dynamics aids in understanding efficiency challenges and design of high-speed, efficient micro-LEDs for visible-light communication and micro-LED display applications.

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