{"title":"TEK VE ÇİFT KARE KUYU TELLERİNDE ELEKTRİK ALAN VE MANYETİK ALAN’IN ELEKTRONİK ÖZELLİKLERE ETKİSİ","authors":"Mustafa Ulaş, Abbas Gümüş","doi":"10.34186/klujes.1072134","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Tek ve çift kare kuyu tel sistemine dışarıdan uygulanan elektrik ve manyetik alan etkisi altında elektronun bağlanma enerjisi hesaplandı. Bağlanma enerjisinin, tel sayısına ve dışarıdan uygulanan alan etkilerine bağlılığı gösterildi. Kare kuyu tel yapısı GaAs ve AlxGa1-xAs yarıiletken malzemeden oluşturuldu. Tel yapıya elektrik alan artı x doğrultusunda ve manyetik alan ise eksi z doğrultusunda olacak şekilde seçildi. Hesaplamada sonlu farklar yöntemi kullanıldı. Bağlanma enerjisinin farklı alanlar altında tel sayısına bağlılığı gösterildi. Ayrıca dışarıdan uygulanan alanların, elektronun gördüğü potansiyele ve elektronun bulunma olasılığına etkisi gösterilmiştir. Bu tür yapıların detaylı incelenmesi, hem yapının elektronik özelliklerinin teorik olarak anlaşılmasını sağlayacak, hem de teknolojik cihaz üretiminde daha ekonomik bir yol gösterecektir.","PeriodicalId":244308,"journal":{"name":"Kırklareli Üniversitesi Mühendislik ve Fen Bilimleri Dergisi","volume":"2677 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2022-07-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Kırklareli Üniversitesi Mühendislik ve Fen Bilimleri Dergisi","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34186/klujes.1072134","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Abstract
Tek ve çift kare kuyu tel sistemine dışarıdan uygulanan elektrik ve manyetik alan etkisi altında elektronun bağlanma enerjisi hesaplandı. Bağlanma enerjisinin, tel sayısına ve dışarıdan uygulanan alan etkilerine bağlılığı gösterildi. Kare kuyu tel yapısı GaAs ve AlxGa1-xAs yarıiletken malzemeden oluşturuldu. Tel yapıya elektrik alan artı x doğrultusunda ve manyetik alan ise eksi z doğrultusunda olacak şekilde seçildi. Hesaplamada sonlu farklar yöntemi kullanıldı. Bağlanma enerjisinin farklı alanlar altında tel sayısına bağlılığı gösterildi. Ayrıca dışarıdan uygulanan alanların, elektronun gördüğü potansiyele ve elektronun bulunma olasılığına etkisi gösterilmiştir. Bu tür yapıların detaylı incelenmesi, hem yapının elektronik özelliklerinin teorik olarak anlaşılmasını sağlayacak, hem de teknolojik cihaz üretiminde daha ekonomik bir yol gösterecektir.