Defects study in IR SWIR HgCdTe photodetectors using DLTS

2014 11th International Workshop on Low Temperature Electronics (WOLTE) Pub Date : 2014-07-07 DOI:10.1109/WOLTE.2014.6881013

A. Brunner, L. Rubaldo, J. Berthoz, D. Bauza, G. Reimbold

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Abstract

The traps in IR SWIR HgCdTe n+/p photodetectors are studied using DLTS. Two hole trap are found, one at low temperature (Ea≈ 0.19 eV) and the other above 250K. The low temperature peak is found to allow the fitting of dark current data recorded from different samples.

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