高被引&热点AFM：基于核-壳结构的一维Ag纳米线忆阻器！

本文针对传统忆阻器中导电细丝随机生成导致阈值电压波动大、功耗高等问题，提出了一种基于银纳米线-聚乙烯吡咯烷酮（Ag-PVP）核壳结构的忆阻器架构。研究背景为冯·诺依曼架构的存算分离瓶颈，研究目的是通过一维纳米线电极实现导电细丝在准二维平面内的精准空间限域，以提高器件一致性与能效。结果表明，该器件实现了超低阈值电压（0.22 V）、高开关一致性（变异系数<15%）及超低功耗（约400 pW），且能在易失性与非易失性模式间灵活切换。分子动力学模拟揭示了导电细丝由表面扩散驱动的自发断裂机制，器件成功模拟了痛觉感受器的阈值触发、松弛恢复及敏感化效应，展示了在类脑感知与神经形态计算中的应用潜力。该成果发表于Advanced Functional Materials，并入选ESI高被引与热点论文。