富锂锰基正极材料氧空位设计与界面优化

本文研究了富锂锰基正极材料（LRO）中氧空位（Vos）的设计与界面优化。研究背景指出，LRO因其高能量密度和阴离子氧化还原机制成为下一代正极材料的候选者，但氧空位的形成与调控对其性能有复杂影响。研究目的是通过可控引入氧空位，提高材料的电化学性能和结构稳定性。实验结果表明，适度浓度的氧空位能稳定阴离子氧化还原过程，减少不可逆氧损失，并促进尖晶石相的形成，从而提升Li+扩散动力学和循环性能。结论表明，通过气固界面反应调控氧空位浓度，可显著提高LRO的放电容量和能量密度，同时抑制界面副反应，为富锂正极材料的优化提供了新策略。